litceysel.ru
добавить свой файл
1
Программа


курса "Твердотельная электроника" (36 час.)

для студентов 3-го курса радиофизиков дневного отделения.


  1. Введение в физику полупроводников.

Энергетические уровни твердого тела. Зонная структура полупроводников и типы проводимости. Законы распределения носителей в зонах полупроводника. Концентрация носителей в собственном и примесном полупроводниках. Подвижность носителей. Электропроводность. Рекомбинация носителей. Равновесное и неравновесное состояние. Время жизни. Поверхностная рекомбинация. Законы движения носителей в полупроводниках. Кинетика носителей заряда в полупроводниках. Эффект поля.


  1. Электронно-дырочные переходы.

Классификация p-n переходов. Структура p-n перехода. Анализ перехода в равновесном и неравновесном состояниях. Контакт металл–полупроводник.


  1. Полупроводниковый диод.

Анализ идеализированного диода . Решение диффузионного уравнения. Вольтамперная характеристика идеализированного диода. Характеристические сопротивления. Обратная характеристика реального диода. Виды пробоя перехода. Прямая характеристика реального диода. Работа диода при высоком уровне инжекции. Эквивалентные схемы диода при обратном и прямом включениях по постоянному току. Барьерная и диффузионная емкости диода. Эквивалентные схемы диода по переменному току. Типы диодов: силовые диоды, стабилитроны, импульсные диоды, диоды Шоттки, варикапы.


  1. Биполярный транзистор.

Принцип работы. Способы включения транзистора. Распределение носителей в базе. Эффект модуляции толщины базы и его следствия.



  1. Статические характеристики транзистора ОБ.

Модель Молла - Эберса. Семейства выходных и входных характеристик транзистора. Эквивалентная схема транзистора для постоянных составляющих.

6.Малосигнальная эквивалентная схема и статические параметры тран- зистора ОБ.


Эквивалентная схема для переменных составляющих. Коэффициент передачи эмиттерного тока. Дифференциальные сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов. Коэффициент обратной связи по напряжению. Объемное сопротивление базы.


7.Динамические параметры транзистора ОБ.

Барьерные и диффузионные емкости транзистора. Коэффициенты инжекции и переноса. Коэффициент передачи тока. Предельная и граничная частота.


  1. Характеристики и параметры транзистора при включении с общим эмиттером.

Эквивалентная схема ОЭ для постоянных составляющих. Статические и динамические параметры транзистора. Эквивалентная схема для переменных составляющих. Составные транзисторы. Транзистор, включенный по схеме с общим коллектором.


  1. Полевые транзисторы.

Классификация полевых транзисторов. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Принцип действия. Статические характеристики и параметры полевых транзисторов. Эквивалентная схема. МДП-транзисторы.


  1. Основы аналоговой микросхемотехники.

Особенности аналоговых интегральных микросхем. Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах. Статический режим усилительного каскада. Задание режима по постоянному току и его стабилизация. Общий анализ. Анализ усилительного каскада по переменному току. Добротность усилительного каскада.


Литература.

  1. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.-М.: Радио и связь. 1980.

  2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники.-М.: Сов. Радио. 1980.

  3. Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы.-М.: Энергоатомиздат, 1983.

  4. Достал Н. Операционные усилители.-М.: Мир, 1982.

  5. Манаев Г.Н. Основы радиоэлектроники.-М.: Радио и связь, 1985.
  6. Аваев Н.А., Шишкин Г.Г. Электронные приборы : Учебник для вузов /Под редакцией проф. Шишкина Г.Г.-М: Из-во МАИ, 1996.-554с.


Программу составила доцент кафедры радиофизики

/ Таюрская Г.В./