litceysel.ru
добавить свой файл
  1 ... 7 8 9 10

Секция Б

25 мая, четверг



Б01


Фототермоэлектрогенераторы селективного излучения

Касымахунова А.М., Насретдинова Ф.Н., Холиддинов И.Х.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан


Б02


Электродиализный метод умягчения и снижения щелочности воды для технологии изделий МФЭ

Проскурин В.М., Смирнов Н.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б03


Испарительно-дроссельная бортовая система охлаждения на основе универсального газового баллона

Ашихмина Т.В., Довгялло А.И.

Самарский государственный аэрокосмический университет,
Самара, Россия


Б04


Регистрация нестационарных световых потоков структурами полупроводник- диэлектрик с утечкой

Ковтонюк Н.Ф., Мисник В.П., Соколов А.В.


ФГУП «ЦНИИ «Комета», Москва, Россия


Б05

Исследование процесса полирования поликристаллических халькогенидов цинка с использованием смол на основе канифоли

1Тимофеев О.В., 1Вилкова Е.Ю., 1Шихов В.А., 2Кушнир С.Р., 2Радбиль Б.А.


1 Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, Россия

2 ООО «Научно-внедренческая фирма Лесма», Нижний Новгород, Россия


Б06


Технология изготовления и сборки сканирующих зеркальных систем

Солк С.В., Яковлев А.А.

ФГУП НИИКИ ОЭП, Сосновый Бор, Ленинградская обл., Россия


Б07


Использование монокристаллического кремния в ИК линзовых объективах

Солк С.В., Сабинин В.Е., Нужин В.С.

ФГУП НИИКИ ОЭП, Сосновый Бор, Ленинградская обл., Россия


Б08


Мини-комплекс для проведения климатических испытаний оптических покрытий

Сабинин В.Е., Солк С.В., Шевцов С.Е.

ФГУП НИИКИ ОЭП, Сосновый Бор, Ленинградская обл., Россия


Б09


Технология изготовления крупногабаритного облегченного зеркала из алюминиевого сплава

Яковлев А.А., Солк С.В.

ФГУП НИИКИ ОЭП, Сосновый Бор, Ленинградская обл., Россия


Б10


Усовершенствованная методика определения функции передачи модуляции ИК-объективов

Нужин В.С., 1Нужин А.В., Солк С.В.


ФГУП НИИКИ ОЭП, Сосновый Бор, Ленинградская обл., Россия

1ВНЦ ГОИ им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия


Б11


Роторно-лопастной компрессор для бортовой системы охлаждения

Довгялло А.И., Коломин И.В.

Самарский государственный аэрокосмический университет, Самара, Россия


Б12

Преобразователь ИК-изображения на основе GaАs и его возможные модификации


1Лебедева Н.Н., 1Агасиев А.А., 1,2 Саламов Б.Г.

1Гази университет, физический факультет, Анкара, Турция

2 Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан


Б13


Сравнительный анализ качественных характеристик и технологических требований при изготовлении систем переноса изображения с экрана ЭОП для ПНВ с ВОП и без ВОП

Касацкий Ю.В., Олейник С.В.

ОАО «Катод», Новосибирск, Россия


Б14


Нелинейные свойства вольт-амперных характеристик газоразрядного зазора с полупроводниковым электродом

Орбух В.И., Лебедева Н.Н., Боброва Е.Ю.

Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан

Б15


Характеристики обнаружения малоразмерных объектов с помощью оптико-электронных систем визуализации

Эдельштейн Ю.Г.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б16


Некоторые особенности модуляционной передаточной функции оптико-электронных систем визуализации

Эдельштейн Ю.Г.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б17


Активно-импульсный ночной бинокль

Баюканский М.А., Волков В.Г., Саликов В.Л., Украинский С.А.

ФГУП «Альфа», Москва, Россия


Б18


Повышение достоверности статистического контроля вероятности вскрытия объектов по тепловизионному изображению

Овсянников В.А., Филиппов В.Л.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия


Б19


Особенности технологии создания систем тест-объектов для контроля температурно-частотных характеристик тепловизионных приборов

Дучицкий А.С., Косковский С.В.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия


Б20


Установка для контроля параметров инфракрасных объективов

Дучицкий А.С., Косковский С.В.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия


Б21


Лазерно-голографический комплекс для технологического и аттестационного контроля оптических элементов и объективов в инфракрасном диапазоне спектра 3-12 мкм

Дучицкий А.С., Лукин А.В., Маврин С.В., Мельников А.Н.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия


Б22


Оптический формирователь оптических сигналов сложной формы

1Перепелицын Ю.Н., 2Жаворонков Н.В., 2Давыдов А.А., 4Котков А.П., 3Гришнева Н.Д., 4Пылаев Ю.К.

1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Саратов, Россия

2ЗАО «НИИ Материаловедения», Москва, Зеленоград, Россия

3Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, Россия

4НПП «Антарес», Саратов, Россия


Б23


Фотоионизационный преобразователь ИК-света в видимый на основе арсенида галлия и его возможные модификации

Лебедева Н.Н., Агасиев А.А., 1Саламов Б.Г.


1Гази Университет, Турция, Анкара

Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан



Б24


Возможности российских цифровых ПЗС камер серийного производства для астрономических приложений

Комаров В.В.

Специальная астрофизическая обсерватория РАН, п. Нижний Архыз, КЧР, Россия


Б25

Открытая в Интернет ТВ система визуального контроля крупнейшего российского 6м оптического телескопа БТА


Витковский В.В., Власюк В.В., Комаров В.В., Фоменко А.Ф., Шергин В.С.

Специальная астрофизическая обсерватория РАН, п. Нижний Архыз, КЧР, Россия


Б26

Разработка ночной системы "ВСЕ НЕБО" для дистанционного мониторинга в реальном времени состояния облачности


Комаров В.В., Фоменко А.Ф., Шергин В.С.

Специальная астрофизическая обсерватория РАН, п. Нижний Архыз, КЧР, Россия


Б27


Объектив с киноформными элементами для спектрального диапазона 3-5 мкм

Редькин С.Н.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия


Б28


Реактивное магнетронное напыление пленок оксидов ванадия для неохлаждаемых болометров

Марченко В.А.


Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, Черноголовка, Россия

Б29


Математическая модель нелинейного режима усиления в канале микроканальной пластины

Беркин А.Б., Васильев В.В.

Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия


Б30


Математическое моделирование режима усиления импульсного тока в канале микроканальной пластины

Васильев В.В., Беркин А.Б.

Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия


Б31


Компенсация смыкания «сине-зеленого» и «зелено-красного» барьерных р+-слоев и эффективность выделения «зеленой» компоненты в фотоячейке с глубинным цветоделением на потенциальных барьерах

Ванюшин И.В., Гергель В.А., Горшкова Н.М., Зимогляд В.А., Лепендин А.В.,

Тишин Ю.И.

ООО «Юник Ай Сиз», Москва, Россия





Б32


Математическое моделирование коррекции неоднородности сканирующих многоэлементных фотоприемных устройств по сигналам сцены

Жегалов С.И., Морозова В.Г., Сагинов Л.Д., Соляков В.Н.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б33

Особенности свечения разряда в полупроводниковом газоразрядном преобразователе ИК-изображения


Озчелик С.1, Мамедов Т.С.1,2, Саламов Б.Г. 1,2, Курт Х.Ю.1

1Гази Университет, Анкара, Турция

2Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан


Б34


Разработка и освоение системы производства деионизованной воды для технологических линий микрофотоэлектроники

Проскурин В.М., Фетисов Е.А., Смирнов Н.В., Кошанов С.А.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б35


Предельная чувствительность приемных устройств с СО2-квантовыми усилителями

Свиридов А.Н.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б36


Фотоприёмник на основе пленочных гетерепереходов CdTe-PbS

Таджибаев М.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан





Б37


Особенности механизмов переноса заряда в InAs p-n переходах

Сукач А.В., Тетеркин В.В., Олейник Г.С., Савкина Р.К., Ворощенко А.Т.,

Лукьяненко В.И.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина

Б38


Ионизационные и ядерные потери энергии в -частицах AIVBVI

Салий Я.П., Фреик И.М.

Прикарпатский национальный университет, Ивано-Франковск, Украина


Б39


Комплексное исследование параметров гетероэпитаксиальных структур

Томилина Г.Ю., Ляликов А.В., Каган Н.Б., Огнева О.В., Чинарева И.В., Якунин С.Н.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б40

Изучение аналитическими методами аномалий состава и структуры поверхности напыленного индия после плазменного травления


Евсеева О.Н., Мезин Ю.С., Седнев М.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б41


Получение сульфоселенидов цинка ZnSxSe1-x CVD-методом

Савин Д.В., Гаврищук Е.М., Иконников В.Б.

Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, Россия


Б42


Тепловой приемник ИК-излучения на сегнетомагнитных и сверхпроводящих кристаллах

Загулин В.В., Креопалов Д.В., Савченко М.А.


Б43

Многослойные структуры PbSnTe/BaF2/CaF2/Si(100), полученные методом МЛЭ


Величко А.А., Илюшин В.А., Филимонова Н.И., Остертак Д.И.

Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия


Б44


Электрические свойства структур металл-полупроводник на основе

Pb1-xMnxTe

Алиева Т.Д., Абдинова Г.Д., Ахундова Н.М., Бархалов Б.Ш.

Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан


Б45


Внутренний геттер в ходе отжигов процесса изготовления ПЗС

Костюков Е.В., Поспелова М.А., Русак Т.Ф., Никитина Г.И.

ФГУП НПП “Пульсар”, Москва, Россия


Б46


Влияние условий выращивания на структурное совершенство и морфологию буферных слоев на подложках (013)GaAs

Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Карташев В.А., Колесников А.В., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Труханов Е.В.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


Б47

Создание и использование тонких сегнетоэлектрических пленок для приемников ИК-изображения


1Романюк В.Л., 1Гременок В.Ф., 2Залесский В.Б., 2Ермаков О.В., 3Чигирь Г.Г.,

3Белоус А.И.

1Объединеннный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной Академии Наук, Минск, Беларусь


2Институт электроники Национальной Академии Наук, Минск, Беларусь

3НТЦ «БЕЛМИКРОСИСТЕМЫ», НПО « Интеграл», Минск


Б48


Стимулированное и спонтанное излучение из пленок CdxHg1-xTe на GaAs и Si подложках при оптической накачке

1Андронов А.А., 1Ноздрин Ю.Н., 1Окомельков А.В., 2Варавин В.С., 2Смирнов Р.Н., 2Икусов Д.Г.

1 Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия

2 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия





Б49

Исследование возможности создания конструкции пленочных АФН – термо с общей подложкой

Абдуллаев Э.Т., Касымахунова А.М., Мамадалиева Л.К., Насретдинова Ф.Н.,

1Олимов Ш.А.


Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан

1Ферганский промышленно-строительный колледж, Фергана, Узбекистан


Б50


О степени повышения эффективности межзонного фотовозбуждения электродвижущей силы Дембера за счет увеличения концентрации центров рекомбинации при слабом оптическом излучении

Холоднов В.А., Другова А.А.


Институт радиотехники и электроники РАН, Москва, Россия


Б51


Зависимость фотоэлектрических свойств пленок PbSe:Bi от уровня легирования амфотерной примесью висмута

Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Ильин В.И.


С.-Петербургский государственный политехнический университет,

Санкт-Петербург, Россия


Б52


Расчёт фоточувствительности пористого кремния для оптоэлектронных устройств

Монастырский Л.С., Соколовский Б.С.

Львовский национальный университет имени Ивана Франко, Львов, Украина


Б53


Влияние режимов низкотемпературного отжига на электрические параметры фотодиодных линеек на основе КРТ

Сизов Ф.Ф., Гуменюк-Сычевская Ж.В., Забудский В.В., Лысюк И.А.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина


Б54


Зависимость фотонапряжения системы АФН-пленка-фоторезистор от мощности дозы рентгеновского излучения

Каримов М.А., Султонов Ш.Д., Зохидов И.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан


Б55

Спектральная зависимость комбинированной плотности состояний в области сингулярностей Ван Хова для твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe


Белогорохов А.И., 1Белогорохова Л.И., Денисов И.А., Пашкова Н.В., Смирнова Н.А., Флоренцев А.А., Елютин А.В.

ГНЦ РФ «Гиредмет», Москва, Россия

1Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия


Б56


Широкоформатные матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона спектра

Борошнев А.В.

ФГУП «ЦНИИ «Комета», Москва, Россия


Б57


Модифицирование свойств монокристаллического кремния для приёмников излучения легирующими добавками редкоземельных и рассеянных элементов

1Критская Т.В., 2Трубицын Ю. В.

1 Запорожская государственная инженерная академия, Запорожье, Украина

2Гуманитарный университет «ЗИГМУ», Запорожье, Украина


Б58


Возможные механизмы вхождения технологических загрязнений в высокочистый БЗП-кремний (метод радиоактивных трекеров)

Трубицын Ю.В., Трубицын В.Ю., Левинзон Д.И.

Гуманитарный университет, Запорожье, Украина


Б59


О воздействии вращения на полупроводниковый детектор гамма-излучения

Мельник И.А.

ФГУП Томский филиал Сибирского научно-исследовательского института геологии, геофизики и минерального сырья (ТФ ФГУП «СНИИГГиМС), Томск, Россия



Б60


Фототриггеры на основе твердых растворов GaSxSe1-x

Кязым-заде А.Г., Гасанова Л.Г., Абасова А.З., Дадашова В.В.

Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан


Б61


О неравновесных фотоэлектронных процессах CdIn2S4 легированных медью

Зафар Кадыроглы, Гусейнов Д.Т., Керимова Т.Г.

Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан





Б62


Функциональные возможности пленок CdSe1-xТеx в ИК-области спектра

Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Мамедова С.А.


Бакинский государственный университет, Институт физических проблем, отдел физики полупроводников, Азербайджан


Б63


Фотоприемники видимого и ближнего ИК-диапазона с управляемой чувствительностью на основе монокристаллов p-GaSe, легированных редкоземельными элементами

Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Багирова А.Т., Рзаев Р.М.

Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан


Б64

Получение и исследование электроосажденных гетеропереходов p-Si/Cd0.3Zn0.7S0.4Se0.6

Абдинов А.Ш., Мамедов Г.М., Амирова С.И.

Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан


Б65


Фоточувствительность гетеропереходов SnO2/p-CdTe/Cd0.8Zn0.2S0.1Se0.9

в видимой и ближней ИК-области спектра

Мамедов Г.М., Амирова С.И.

Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан


Б66


Новые приемники излучения на основе монокристаллов TlGaS2

Мустафаева С.Н.

Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан


Б67


Влияние облучения электронами на оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок n-Ge/Ge1-xSix

Аббасов Ш.М., Агавердиева Г.Т., Нурмамедыва Ф.Н., Фараджова У.Ф.

Институт радиационных проблем Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан


Б68


Просветление приемников электромагнитного излучения

Касимов Р.М., Карамалиев Р.А.

Институт химических проблем Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан

Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан


Б69


Зависимость коэффициента неидеальности от высоты барьера диода Шоттки

Асланова А.Р., Исмаилов Т.Г.

Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан


Б70


Плазмон-фононное взаимодействие в тонких пленках -Ag2Se

Алекперова Ш.М., Алиев А.А., Джалилова Х.Д., Гаджиева Г.С.

Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан





Б71


Влияние содержания кислорода в высокочистом теллуре на получение эпитаксиальных структур CdHgTe для ИК-приемников

Парфенов Н.А., Резвицкий В.В., Рябиков В.М., Тербан В.А., Шепель Л.Г.

ОАО «Чистые металлы», Светловодск, Украина


Б72


Стимулированная электрическим полем и ИК-облучением осцилляция тока в Ag3In5Se9

Гахраманов Н.Ф., Бархалов Б.Ш., Нуруллаев Ю.Г.

Сумгаитский государственный университет, Сумгаит, Азербайджан

Б73



Стенд контроля параметров матричного ФПУ теплопеленгационного устройства

Алексеев Ю.В., Арзамасов Д.И., Вахитов М.А., Нигматуллина P.P., Сунцов В.В., Хисамов P.Ш.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия


Б74


Стенд контроля параметров БИС мультиплексоров и матричных фотоприемников

Вахитов М.А., Михайлов Д.В., Нигматуллина Р.Р., Сунцов B.B., Сюняев Л.З.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия


Б75


Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках CdТe

Набиев Г.А.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан


Б76


Исследование влияния ионизирующих излучений на фотоэлектрические свойства

Тохиров М., Тохиров К.Р.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан


Б77


Фотомагнитный эффект в АФНпленках PbSe.Sb2Se3

Найманбоев Р., Тохиров М.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан


Б78

Фотоэлектрический эффект в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом


Хайдаров З.

Ферганский филиал Ташкентского университета информационной технологии, Фергана, Узбекистан


Б79


Исследование фотоэлектретного состояния в полупроводниковых пленках мышьяковистого галлия

Найманбоев Р., Хатамов С.О.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан


Б80


О дискриминации механизмов АФН-эффекта в пленках CdTe

Набиев Г.А.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан





Б81


Термополевая миграция вакансий Cdi+ и ионов Inj+ в тонких пленках CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством

Каримов М.А.

Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан





Б82


Спектры поглощения интеркалированных и легированных полупроводников TlMC2IV(M-In, Ga; C-S, Se)

Мустафаева С.Н., Керимова Э.М., Гасанов Н.З., Абасова А.З.

Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджана


Б83

Импульсная ночная система вождения автомобилей

Кощавцев Н.Ф., Федотова С.Ф., Францева О.А., Новиков А.Д.

Филиал ОАО «Катод» «СКБ приборов ночного видения», Москва, Россия


Б84

Модернизация ночных стрелковых прицелов 1ПН34 и 1ПН58

Кощавцев Н.Ф., Федотова С.Ф., Францева О.А., Кускова М.А.

Филиал ОАО «Катод» «СКБ приборов ночного видения», Москва, Россия


Б85

Цифровой измеритель ночной освещенности

Кощавцев Н.Ф., Федотова С.Ф., Новиков А.Д., Кирчевская Т.К.

Филиал ОАО «Катод» «СКБ приборов ночного видения», Москва, Россия


Б86

Управление функционированием производственных корпораций


Филачев А.М., Корнеева М.Д., Дворак А.И., Конвисар Н.П.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б87

Устойчивость производственных корпораций

Филачев А.М., Корнеева М.Д., Дворак А.И., Конвисар Н.П.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б88

Принципы разработки комплексной программы создания корпорации на базе инновационных проектов.


Филачев А.М., Корнеева М.Д., Дворак А.И., Конвисар Н.П.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

Б89


Организация системы распределения продукции предприятия – перспективных фотоэлектронных модулей

Филачев А.М., Корнеева М.Д., Дворак А.И., Конвисар Н.П.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б90

Особенности маркетинговых инструментов применительно к продукции микрофотоэлектроники

Филачев А.М., Корнеева М.Д., Дворак А.И., Конвисар Н.П.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


Б91

Формирование бизнес-стратегии инновационного проекта по разработке и освоению производства матричных фотоэлектронных модулей (ФЭМ)

Филачев А.М., Корнеева М.Д., Дворак А.И., Конвисар Н.П.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия





ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ «НПО «ОРИОН»



Государственный научный центр Российской Федерации Федеральное государственное унитарное предприятие «НПО «Орион» развивается на базе созданного в 1946 году в Москве Научно-исследовательского института электронной оптики и инфракрасной техники (впоследствии НИИ прикладной физики - НИИПФ) и НИИ электронной и ионной оптики - НИИЭИО (затем НИИ «Орион»). В настоящее время ФГУП «НПО «Орион» является единственным в России Государственным научным центром в области фотоэлектроники.


В состав ФГУП «НПО «Орион» входят двенадцать научно-технических центров по всем актуальным направлениям современной фотоэлектроники. Общая научно-производственная площадь объединения, составляющая около 200 тысяч кв. метров, оснащена уникальным технологическим и метрологическим оборудованием. В 2003 году начата реконструкция производства фотоприемников и фотоэлектронных модулей, специализированных технологических линий и строительство новых производственных особо чистых участков на уровне мировых стандартов.

На предприятии работают около полутора тысяч высококвалифицированных специалистов, в том числе академик Российской академии наук, три действительных члена и два члена-корреспондента отраслевых академий, 15 докторов наук, 95 кандидатов наук. Подготовка инженерных кадров осуществляется на базовых кафедрах в вузах Москвы - МФТИ (ГУ), МИРЭА (ТУ) и МИЭТ (ТУ), а научных кадров - в аспирантуре ФГУП «НПО «Орион». В объединении с 1946 года были подготовлены научные специалисты высокой квалификации - свыше 30 докторов наук и более 200 кандидатов наук.

Ученые ФГУП «НПО «Орион» опубликовали несколько тысяч научных статей в отечественной и зарубежной печати, написали более 20 монографий, ряд из которых опубликован за рубежом.

Специалисты объединения успешно выступают с докладами на всероссийских и международных конференциях и симпозиумах.

Специалистами объединения создано около 1000 изобретений, из них около 100 защищены патентами на изобретения, полезные модели, промышленные образцы и товарные знаки.

В апреле 2001 года в г. Орландо (США) под руководством ФГУП «НПО «Орион» в рамках Международной конференции была проведена русская сессия «10 лет ИК-техники в России».

Межотраслевые совещания по фотоприемникам и фотоприемным устройствам, проводившиеся в НИИ прикладной физики в период с 1962 по 1991 год, с 1998 года были возобновлены в ФГУП «НПО «Орион» в новом качестве - как Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Кроме того, с 1996 года на предприятии регулярно проводится Всероссийский семинар «Проблемы теоретической и прикладной электронной оптики».


ФГУП «НПО «Орион», совместно с ВИМИ и Московским физическим обществом, является учредителем научно-технического журнала «Прикладная физика», главным редактором которого с 1998 года является генеральный директор объединения А.М. Филачев.

За выдающиеся достижения в области науки и техники лауреатами Государственных премий стали 48 сотрудников объединения. Многие сотрудники предприятия удостоены государственных наград и почетных званий. В 1996 году ФГУП «НПО «Орион» был награжден дипломом и премией Международного общества по оптической технике (SPIE) за значительные достижения в области оптической технологии. Изделия ФГУП «НПО «Орион» были неоднократно отмечены специальными призами, дипломами, медалями (золотыми, серебряными и бронзовыми) на отечественных и зарубежных выставках в России (ранее в СССР) и различных странах мира - США, Германии, Великобритании, Франции, Швейцарии, Бельгии, Колумбии, Китае, Южной Корее.

В настоящее время на предприятии представлены все виды высоких технологий - вакуумная, диффузионная, ионно-плазменная, электронно-лучевая, лазерная и другие, что обеспечивает выполнение исследований, разработок и выпуск изделий на мировом уровне.

ФГУП «НПО «Орион» разрабатывает и производит в широкой номенклатуре разнообразную продукцию для оснащения оптико-электронных приборов, лазерных систем связи и локации, систем наблюдения, навигации и дальнометрии в интересах науки, промышленности, медицины, космической отрасли, в том числе:

- фотоприемники и фотоприемные устройства (в том числе линейчатые и матричные), для широкой области спектра - от ультрафиолетовой до дальней инфракрасной (от 0,2 до 120 мкм) на основе различных полупроводниковых материалов (Si, Ge, GaP, GaAsP, GaAs, InGaAs, PbS, PbSe, InSb, CdHgTe, Si:X, Ge:X);

- микроэлектронные схемы считывания, усиления и обработки фотосигналов (в том числе для работы при криогенных температурах);

- технологические устройства для ионно-плазменной обработки поверхности, нанесения тонкопленочных покрытий различного типа, ионного травления тонкопленочных покрытий и электронно-лучевой сварки.

ФГУП «НПО «Орион» проводит разработки и имеет возможности выпуска изделий фотоэлектроники по требованиям заказчика в рамках хозяйственных договоров и международных соглашений.



<< предыдущая страница