litceysel.ru
добавить свой файл
  1 2 3 ... 9 10

12.00 – 12.20 Перерыв

П04

12.20

Большие смотрящие матрицы на КРТ фирмы SOFRADIR

Триболе Ф.

SOFRADIR, Франция


У11

13.10

Перспективы создания бесшумных криогенно охлаждаемых портативных тепловизоров

Веприк А., Виленчик Г., Бройде Р., Пундак Н.

RICOR, Израиль


П06

13.30

Гетероэпитаксиальные структуры теллурида кадмия и ртути для инфракрасных фотоприемников

Алфимов С.А., Анциферов А.П., Белоконев В.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А, Дегтярев Е.В., Карташoв В.А., Крайлюк А.Д., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Смирнов Р.Н., Сидоров Ю.Г., Асеев А.Л.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

14.00 – 15.30 Обед. Посещение выставки





У01

15.30

Матричное фотоприемное устройство смотрящего типа формата 256х256 элементов, интегрированное с микрокриогенной системой охлаждения

Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Яковлева Н.И., Дерюгин М.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

У02

15.50


Матричное ФПУ формата 256х256 на основе InSb с высоким быстродействием и широкими функциональными возможностями

Чишко В.Ф., Касаткин И.Л., Дирочка А.И., Лопухин А.А., 1Бородин Д.В., 1Осипов Ю.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

1РТК «Импекс», Москва, Россия


У03

16.10

Фотоприемное устройство на основе матрицы МДП - фотодиодов на InAs для регистрации импульсных оптических сигналов

Ли И.И., Базовкин В.М., Валишева Н.А., Гузев А.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Половинкин В.Г.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


У04

16.30

Новое поколение охлаждаемых многоэлементных фотоприемных устройств на основе фоточувствительных структур халькогенидов свинца

Аракелов Г.А., Бочков В.Д., Дражников Б.Н., Храпунов М.Л., Кузнецов П.А.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


У05

16.50

Одно - и двухспектральные матричные фотоприемники на основе структур с квантовыми ямами

Казаков А.А., Куликов В.Б., Бородин Д.В., Осипов Ю.В., Котов В.П., Курнявко Ю.В., Мармалюк А.А

ФГУП «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха», Москва, Россия



17.10 – 17.25 Перерыв


У06

17.25

Оценка эффективности использования одно - и двухспектральных матричных фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами

Солодков А.А., 1Куликов В.Б.

ФГУП «22 ЦНИИ МО», Мытищи, Московская обл., Россия

1ФГУП «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха», Москва, Россия


У07

17.45

Сравнительный анализ фотоэлектрических параметров многоэлементных фоторезисторов на основе объемных монокристаллов и эпитаксиальных структур Hg1-xCdxTe

1Другова А.А., Комов А.А., Курбатов А.В., Никитин М.С., 1Холоднов В.А., Чеканова Г.В.

ФГУП «Альфа», Москва, Россия

1Институт радиотехники и электроники РАН, Москва, Россия


У72

18.05

Испытания на безотказность многорядных и матричных фотоприемников на основе фотодиодов из КРТ

Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., 1Дегтярев Е.В., Козлачков А.А., Патрашин А.И., Сагинов Л.Д., 1Сычев А.С., 1Солодков А.А., Яковлева Н.И.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

1ФГУП «22 ЦНИИ МО», Мытищи, Московская обл., Россия



У73

18.25

Влияние лазерного излучения на функционирование матричного фотоприемника на основе CdHgTe

1Бурлаков И.Д., 1Болтарь К.О., Сахаров М.В., Средин В.Г., 1Стафеев В.И., Суховей С.Б.

ВА РВСН им. Петра Великого, Москва, Россия

1ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия



<< предыдущая страница   следующая страница >>