litceysel.ru
добавить свой файл
  1 ... 6 7 8 9 10

СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ

Секция А


Среда, 24 мая


А01


Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe

1Икусов Д.Г., Сизов Ф.Ф., Старый С.В., Тетеркин В.В.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина

1Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А02


Исследование времени жизни носителей заряда в эпитаксиальных структурах КРТ

Шаронов Ю.П., Яковлева Н.И., Болтарь К.О., Ложников В.Е., Кудров В.Б.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А03


Электрофизические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе варизонного КРТ МЛЭ

1Войцеховский А.В., 1Несмелов С.Н., 1Дзядух С.М., 2Варавин В.С., 2Дворецкий С.А., 2Михайлов Н.Н., 2Сидоров Ю.Г., 2Васильев В.В., 2Захарьяш Т.И., 2Машуков Ю.П.

1Сибирский физико-технический институт при ТГУ, Томск, Россия

2Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А04

Исследование свойств границ раздела HgCdTe/АОП и HgCdTe/SiO2-Si3N4


1Войцеховский А.В., 1Несмелов С.Н., 1Дзядух С.М., 2Варавин В.С., 2Дворецкий С.А., 2Михайлов Н.Н., 2Сидоров Ю.Г., 2Васильев В.В., 2Захарьяш Т.И., 2Машуков Ю.П.

1 Сибирский физико-технический институт при ТГУ, Томск, Россия

2Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А05


Фотоприемное устройство с радиационно-охлаждаемым длинноволновым фоторезистором из КРТ

Бурлаков И.Д., Поповян Г.Э., Трошкин Ю.С., Шаронов Ю.П.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А06


Гетероструктуры с квантовыми ямами GaInAs/AlGaInAs/InP для ИК-фотоприемников спектрального диапазона 3-5 и 8-12 мкм

Мармалюк А.А., Рябоштан Ю.А., Будкин И.В., 1Ладугин М.А.

ФГУП НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия

1Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калуга, Россия


А07


Исследование распределения чувствительности в фоторезисторных структурах на основе КРТ

Акимова Н.М., Крапухин В.В., Шаевич В.И., 1Вергелес П.С., 1Якимов Е.Б.

ОАО «Московский завод «Сапфир», Москва, Россия


1ИПТМ РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия


А08


Исследование планарных фотодиодных структур на слоях InSb
на сапфире, полученных методом направленной кристаллизации


Астахов В.П., Карпов В.В., Крапухин В.В., 1Падалко А.Г., 1Пашкова О.Н., 2Якимов Е.Б.

ОАО «Московский завод «Сапфир», Москва, Россия

1ИФХПКМ РАН, Москва, Россия

2ИПТМ РАН, Черноголовка, Россия


А09


Результаты исследований многоэлементных планарных
фотодиодов на InSb методом наведённого тока


Астахов В.П., Карпов В.В., 1Якимов Е.Б.

ОАО «Московский завод «Сапфир», Москва, Россия

1ИПТМ РАН, Черноголовка, Россия


А10


Формирование фотодиодов на основе n-HgCdTe имплантацией As+

Протасов Д.Ю., Захарьяш Т.И., Васильев В.В., Варавин В.С., Смирнов Р.Н,

Икусов Д.Г.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А11


Инфракрасные фотоприемники на основе гетероструктур HgCdTe/CdZnTe/GaAs c варизонными слоями HgCdTe

Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г.,


Козлов А.И., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Овсюк В.Н., Сусляков А.О.,

Сидоров Ю.Г., Асеев А.Л.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А12


Гистерезис вольт-фарадных характеристик структур на р Cd0.27Hg0.73Te с широкозонным варизонным слоем на поверхности

Васильев В.В., Машуков Ю.П.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А13


Формирование пассивационного покрытия на основе теллурида кадмия для ИК фоточувствительной матрицы HgCdTe

Андреева Е.В., Апатская М.В., Билевич Е.О., Вуйчик Н.В., Дарчук Л.А.,

Сарсембаева А.З., Сизов Ф.Ф.*, Цибрий З.Ф.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина


А14


Анализ пороговых характеристик GeSi/Si детекторов в спектральном диапазоне 8-12 мкм

1Войцеховский А.В., 1Несмелов С.Н., 2Кульчицкий Н.А., 2Кульчицкий А.Н., 2Мельников А.А.

1 Томский государственный университет, Томск, Россия

2Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), Москва, Россия



А15


Особенности спектров фоточувствительности варизонных фотодиодов с локальной неоднородностью времени жизни носителей заряда

Соколовский Б.С.

Львовский национальный университет им. И. Франко, Львов, Украина





А16


Создание примесно легированных n - р структур CdHgTe

1Власов А.П., 2Бончик А.Ю., 3Ижнин И.И., 4Барч А.

1 Львовский национальный университет им. И. Франко, Львов, Украина

2 Институт прикладных проблем механики и математики НАН, Львов, Украина

3 НИИ материалов НПП «Карат», Львов, Украина

4 Институт физики ПАН, Варшава, Польша


А17


Легирование ионами бора варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ

1Войцеховский А.В., 1Коротаев А.Г., 1Кохенко А.П., 1Григорьев Д.В., 2Варавин В.С., 2Дворецкий С.А., 2Сидоров Ю.Г., 2Михайлов Н.Н., 2Талипов Н.Х.

1Сибирский физико-технический институт при ТГУ, Томск, Россия

2Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия

А18


Влияние эффекта памяти на работу фотоприемника из GaAs:Cr

1,2Саламов Б.Г., 1,2Мамедов Т.С., 1Озчелик С., 3Лебедева Н.Н.

1 Гази Университет, физический факультет, Анкара, Турция

2Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан

3Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан


А19


Гетероэпитаксиальные структуры CdxHg1-xTe, легированные мышьяком в процессе роста методом МЛЭ

Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Карташов В.А.,

Сидоров Ю.Г., Смирнов Р.Н.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А20


Фотодиоды на основе эпитаксиальных пленок Pb1-хSnхSe

Джалилова Х.Д., Алиев А.А., Фараджев Н.В., Алекперова Ш.М.

Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан


А21

Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и коэффициента Холла в эпитаксиальных слоях CdxHg1-x-yZnyTe (0.09 < x < 0.3, 0 < y < 0.17)


Белогорохов А.И., Денисов И.А., Смирнова Н.А., 1Белогорохова Л.И., Елютин А.В.

ГНЦ РФ «Гиредмет», Москва, Россия

1Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия


А22


Исследование характеристик эпитаксиальных слоев КРТ по спектрам пропускания

Болтарь К.О., Яковлева Н.И., Кашуба А.С., Удалова А.Г.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А23


Низкофоновые МФПУ на основе InSb

Чишко В.Ф., Касаткин И.Л., Лопухин А.А., Дирочка А.И., Кузнецов А.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А24


Сравнение матричных ФПУ на основе InSb с различными типами охлаждаемых мультиплексоров

Чишко В.Ф., Касаткин И.Л., Лопухин А.А., Голубков А.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А25


Особенности работы и характеристики МФПУ формата 128х128 и 256х256 на основе InSb в режиме «мгновенной фотографии» и конвейерного считывания

Чишко В.Ф., Касаткин И.Л., Лопухин А.А., Голубков А.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А26

Исследование характеристик матричного фотоприемника с тонкой базовой областью на основе InSb


Киселева Л.В., Савостин А.В., Мезин Ю.С., Чишко В.Ф., Касаткин И.Л., Лопухин А.А

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А27


Избыточные шумы в кремниевых pin-ФД большой площади

Забенькин О.Н., Хакуашев П.Е.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А28


Новый способ реализации фотодиода с широкой областью сбора заряда

Залетаев Н.Б., Сиваченко С.Д.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А29


Вольт-фарадные характеристики МДП-структур «металл – теллурид кадмия – КРТ»

Головин С.В., Кашуба А.С., Пермикина Е.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А30


Теория генерационно-рекомбинационного шума, обусловленного туннелированием через ловушки в невырожденных p - n переходах на основе узкозонных твердых растворов (CdHg)Te

Селяков А.Ю.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А31


Эффект подавления диффузионного тока n+ – p перехода в пикселях многоэлементных ИК-фотоприемников, обусловленный трансляционной симметрией многоэлементной структуры

Селяков А.Ю.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия



А32


Избыточный диффузионный ток малоразмерных планарных n+ – p переходов на основе узкозонных твердых растворов (CdHg)Te

Селяков А.Ю.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А33


Фотоприемник с термоэлектрическим охлаждением

Агаев З.Ф., Абдинов Д.Ш.

Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан


А34


Выращивание эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe и CdTe на подложках CdZnTe различных кристаллографических ориентаций методом химического осаждения из паров металлоорганических соединений и исследование их свойств

1Котков А.П., 1Гришнова Н.Д., 1Моисеев А.Н., 2Денисов И.А., 2Смирнова Н.А., 2Шматов Н.И., 3Жаворонков Н.В.

1Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, Россия

2ФГУП «ГИРЕДМЕТ», Москва, Россия

3ЗАО «НИИ Материаловедения», Зеленоград, Россия


А35

Субматричный КМОП мультиплексор формата 576х16 для гибридного ФПУ


Аветисян Г.Х., Бородин Д.В., Брашеван Ю.В., Завадский Ю.И., Осипов Ю.В., Крошин В.М., Чернокожин В.В.

ФГУП «НПП «Пульсар», Москва, Россия.

ГНП РКЦ «ЦСКБ «Прогресс», Самара, Россия


А36


Гетеродинные фотоприемные устройства с микрокриогенными системами охлаждения

Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Головин С.В., Ложников В.Е., Мансветов Н.Г., Мансветова Т.М., Терехович Т.Ф.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А37


Фотоприемники ИК-излучения на основе кремния, легированного цинком

Султанов Н.А., Султанова Ш.Н.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан


А38


Поверхностно-барьерный фотодиод на основе фосфида галлия для ультрафиолетовых радиометров и дозиметров

Биксей М.П., Добровольский Ю.Г., Шабашкевич Б.Г.

ООО НПФ «Тензор», Черновцы, Украина


А39

Информационная модель ФПУ


Астахов В.П., Долганин Ю.Н., Карпов В.В., Савченко М.А., Скворцов С.В.

ОАО «Московский завод «Сапфир», Москва, Россия


А40

Физические и материаловедческие аспекты интегральной оптоэлектроники


Ермаков О.Н.

ОАО «НПП «Сапфир», Москва, Россия


А41


Методы и алгоритмы цифровой обработки сигналов матричных ФПУ без калибровки по геометрическому шуму

1Бехтин Ю.С., 1Баранцев А.А., 1Брянцев A.A., 2Соляков В.Н., 2Сагинов Л.Д.

1Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия

2ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А42


Болометрический пирометр

Жуков А.Г., Олихов И.М., Мазеев В.А., Ворович Э.Б., Левашов А.Н.

ФГУП «НПП «Исток», Фрязино, Московская обл., Россия





А43


Система автоматического измерения фотоэлектрических параметров многоэлементных фоторезисторов на основе КРТ

Курбатов А.В., Ларцев И.Ю., Резвина Н.В., Чеканова Г.В.

ФГУП «Альфа», Москва, Россия


А44


Исследование корректируемости МФПУ на основе фотодиодов из КРТ

Полунеев В.В., Болтарь К.О., Рудневский В.С.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А45

Влияние последовательного сопротивления и поверхностных состояний на I-V Al0.24Ga0.76As/GaAs pin-фотодиода


1Алтиндал С., 1Озселик С., 1Бенджи А., 1,2Маммадов Т.С.

1Гази университет, физический факультет, Анкара, Турция

2Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджана





А46


Фотовольтаическая чувствительность пленок CdTe, легированных примесью индия

Каримов М.А., Исмоилов И.К., Пулатов Н.Г., Юлдашев Н.Х.

Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан


А47


Цифровой модуль многоканальной обработки сигналов изображений различных спектральных диапазонов

Бодров В.Н., Рыков А.Н.

ГОУВПО Московский энергетический институт (ТУ), Москва, Россия


А48


Органические электролюминесцентные структуры для нового поколения дисплейных систем

Ермаков О.Н., 1Каплунов М.Г., 1Ефимов О.Н., Стахарный С.А.

ОАО НПП «Сапфир», Москва, Россия

1Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия


А49

Высокочувствительные телевизионные камеры на основе ЭОП и бескорпусных ПЗС камер для различных областей спектра


Журавлев П.В., Шатунов К.П., Чурилов С.М., Турбин А.В., Ульянова Е.О.,

Алдохин П.А.

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН, Новосибирск, Россия


А50


Результаты испытаний микрокриогенной системы МСМГ-3В-1/80 – унифицированного модуля межвидового применения для ТПВК II-го поколения

Липин М.В., Смирнов А.В., Забенкова Е.В.

ООО “НТК “Криогенная техника”, Омск, Россия





А51


Круглосуточный телевизионный канал

Шлычков В.И., Макаров К.В.

ФГУП «ПО «УОМЗ», Екатеринбург, Россия


А52


Телевизионная измерительная система

Матюшенко В.Г., Горобинская Е.А., Толстогузов В.Л.

Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем (ГосНИИАС), Москва, Россия


А53

Пороговое отношение сигнал/фон при обнаружении точечных объектов


Голицын А.А., Голицын А.В.

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН, Новосибирск, Россия


А54

Полноформатный тепловизионный модуль на основе охлаждаемого фотоприемника 288×4 элементов отечественного производства


Журавлев П.В., Добровольский П.П., Шатунов К.П., 1Васильев В.В., 1Овсюк В.Н., 1Захарьяш Т..И., 1Сусляков А.О.

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН, Новосибирск, Россия

1Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А55


Тепловизионный модуль на основе охлаждаемого матричного фотоприемника на квантовых ямах форматом 320х256 элементов

Журавлев П.В., Добровольский П.П., Шатунов К.П., 1Шашкин В.В., 1Овсюк В.Н., 1Марчишин И.В., 1Фатеев В.А.

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН, Новосибирск, Россия

1Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А56


Двухканальный малогабаритный телевизионно-тепловизионный прибор наблюдения

Журавлев П.В., Косолапов Г.И., Хацевич Т.Н.

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники СО РАН, Новосибирск, Россия


А57


Регистрация коротких световых импульсов фотоприемными устройствами на основе фоторезисторов с большой инерционностью

Бушман С.В., Горелик Л.И., Кравченко Н.В., Куликов К.М, Петров А.К.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

А58


Система кругового обзора на основе матричного фотоприемного устройства

Горелик Л.И., Петров А.К.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А59


Система калибровки тепловизионной камеры с матричным фотоприёмным устройством формата 4х288, работающим в режиме временной задержки и накопления сигналов

1Алеев Р.М., 2Катаев О.В., 1Малеваный П.П., Медведев А.С., 1Насибуллин Р.А. Полторацкий А.В., Соляков В.Н., Тетерин И.И.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

1ЗАО НПФ «Оптоойл», Казань, Россия

2НИИ МВС ТРТУ, Таганрог, Россия


А60


Математическое моделирование коррекции неоднородности матричных фотоприемных устройств по сигналам сцены

Жегалов С.И., Морозова В.Г., Сагинов Л.Д., Соляков В.Н.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А61


Визуалиазация тестовых изображений в среде Mathcad

Соляков В.Н., Эдельштейн Ю.Г.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А62

Спектральное фильтрующее устройство на основе оптических элементов с положительной и отрицательной производными зависимостей углов полного внутреннего отражения от длины волны


Сагинов Л.Д., Кононов А.С., Свиридов А.Н., Бакуменко В.Л.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А63


Спектральное фильтрующее устройство с использованием многолучевой интерферометрии

Сагинов Л.Д., Кононов А.С., Свиридов А.Н., Бакуменко В.Л.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А64


Метод оптимизации несканирующих тепловизионных приборов

Овсянников В.Л., Филиппов В.Л.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия


А65


Алгоритм прогноза значений дальности обнаружения объектов наблюдения автоматом захвата тепловизионного канала

Трестман М.М., Егошин К.В., Камашева Н.М., Харькова Н.И.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия



А66


Влияние технологических факторов на свойства пленок окиси ванадия в технологии микроболометров

Жукова С.А., 1Обижаев Д.Ю., Звонова М.М., Тимофеенко И.А., Четверов Ю.С.

ОАО «ЦНИИ «ЦИКЛОН», Москва, Россия

1«МАТИ» – Российский государственный технологический университет

им. К.Э. Циолковского, Москва, Россия

А67


Особенности формирования и свойства пленок нитрида кремния в технологии микроболометрических приемников

Жуков А.А., 1Обижаев Д.Ю., Четверов Ю.С.

ОАО «ЦНИИ «ЦИКЛОН», Москва, Россия

1«МАТИ» – Российский государственный технологический университет

им. К.Э. Циолковского, Москва, Россия


А68


Влияние разброса параметров матричного фотоприемника на характеристики тепловизионной системы

Латьпов Я.М., Шушарин С.Н.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия


А69


Схемотехническое решение цифрового устройства обработки информации матричного фотоприемного устройства в режиме дальнометрирования

Приходько В.Н., Сюняев Л.3., Вахитов М.А., Хайрутдинов Б.Г.

ФГУП НПО «ГИПО», Казань, Россия


А70


Способ измерения монохроматической чувствительности и быстродействия ФЧЭ размером не более 50х50 мкм на различных длинах волн

Забенькин О.Н., Чинарева И.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А71

Радиационно-стойкие фотоприемники на область спектра 0,35 ÷ 1,1 мкм

Аскеров К.А., Бекташи М.Г., Гаджиева В.И., Абдинов Д.Ш.

Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан

А72


Сравнительный анализ интегральных схем мультиплексоров для ФПУ на основе халькогенидов свинца

Бородин Д.В., Кузнецов П.А., Храпунов М.Л.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

ООО «Импекс», Москва, Россия


А73


О возможности создания многоспектральных фотоприемных модулей смотрящего типа для перспективных систем космического мониторинга

Борошнев А.В., 1Куликов В.Б.

ФГУП «ЦНИИ «Комета», Москва, Россия

1ФГУП «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» Москва, Россия


А74


Разработка и опытная эксплуатация комплекса аппаратно-программных средств (КАПС) для мониторинга, диагностики и контроля изготовления КМОП СБИС

1Авраменко А.М., 2Иваненко А.Ю., 1Климанов Е.А., 1Муравьев А.Г., 3Николаев В.А., 1Сагинов Л.Д., 1Фетисов Е.А., 1Щукин С.В.

1ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия

2ООО «Инфотехпром», Москва, Россия

3НПО «Интеграл», Минск, Республика Беларусь


А75

Оптический клей для склейки больших оптических поверхностей при сборке многоэлементных фотоприемников ИК-излучения на основе халькогенидов свинца.


Антипова М.А., Бочков В.Д., Давыдов С.Е., Казарова Ю.А..

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А76


Формирование спектральной характеристики алмазных фотоприемников

Кирилин Н.М., 1Тришенков М.А., 1Эскин Ю.М.

ОАО «УралАлмазИнвест», Москва, Россия

1ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А77


Травление монокристаллов CdTe разной кристаллографической ориентации растворами І2 в метаноле и диметилформамиде

Томашик З.Ф., 1Иваницкая В.Г., Томашик В.Н., 1Фейчук П.И., 1Щербак Л.П.
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина
2Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина


А78


Программная коррекция неоднородности элементов линейчатого фотоприемника и геометрических искажений в тепловизоре

Завадский П.В.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина


А79

Формирование полированных поверхностей монокристаллов CdxHg1-xTe травителями систем H2O2–HBr–растворитель


Томашик З.Ф., Гнатив И.И., Томашик В.Н., Стратийчук И.Б.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Киев, Украина


А80


Влияние режимов химической обработки монокристаллов InSb на состав и структуру поверхности

Евсеева О.Н., Кисилева Л.В., Мезин Ю.С., Савостин А.В., Чишко В.Ф., Якунин С.Н.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А81


Плазмохимическое осаждение пленок диоксида и нитрида кремния для пассивации поверхности КРТ

Соловьев А.П., Войцеховский А.В., Дульцев Ф.Н., Земцова Т.А., Васильев В.В.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А82


Ионно-плазменные процессы в технологии изготовления МФЧЭ из КРТ

Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Седнев М.В.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А83


Методика измерения теплопритоков ФПУ с помощью расходомера

Дерюгин М.В., Колесников А.М., Бурлаков И.Д., Мансветов Н.Г., Кудров В.Б.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия


А84


Р-n переходы на основе CdHgTe, полученные облучением низкоэнергетичными ионами индия и аргона

Исмайлов Н.Д., Гасанов И.С., Гейдаров С.А., Гусейнов Э.К.


Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан


А85


Неохлаждаемый ФЭМ-детектор на основе Cd0.167Hg0,833Te

Алиев А.А., Исмайлов Н.Д., Насибов И.А., Ибрагимов Т.И., Гусейнов Э.К.

Институт физики Национальной Академии Наук, Баку, Азербайджан


А86


Определение состава и спектральной характеристики ГЭС КРТ МЛЭ

Варавин В.С., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г.

Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия


А87


Применение импульсного УФ-лазера для скрайбирования фотоприёмных матриц и линеек на МЛЭ КРТ

Новоселов А.Р., Клименко А.Г., Васильев В.В.

Институт физики полупроводников РАН, Новосибирск, Россия


А88


Релаксация параметров конвертированных при ионном травлении слоев в CdxHg1-xTe: As(Sb)

1Ижнин И.И., 2Власов А.П., 3Мынбаев К.Д.

1 НИИ материалов НПП «Карат», Львов, Украина

2 Львовский национальный университет им. И. Франко, Львов, Украина

3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия



А89


Унифицированный тепловизионный прибор на основе микроболометрической матрицы

Тареев A.M., Бондаренко М.М., Чеча Э.П., Панько О.И., Иванейчик В.А., Дятлов О.А., Василевич И.Н.

ОАО «Пеленг», Минск, Республика Беларусь



<< предыдущая страница   следующая страница >>